工程类型:新建,建筑面积:15000㎡,业主类型:商业
项目联系人:共4位(其中:甲方4位)
项目概述:该项目总占地面积23976平方米(折合约36亩),新增总建筑面积约15000平方米,其中生产车间面积8800平方米,仓库面积800平方米,其他以及辅A助设施(综合动力站、低压配电房、空压站、纯水站、研发用房等)共计6400平方米,以高纯氧化铌、氧化钽、碳酸锂为原料,经一定比例混合后使用CZ法生长单晶晶体,并使用半导体晶圆制程加工成为射频器件、传感器件、光电子器件等使用的晶圆和薄膜材料。主要用能设备(系统)包括晶体生长设备、切磨抛设备、热处理热备、无尘室系统、超纯水系统、空压系统等150台(套)左右;*主要工艺流程:原料--预处理--加工--检测--包装